- Я работал в НИИМЭ с 1965 по 1980 г. А начинал с самых прозаических вещей. Только что закончилось строительство здания НИИМЭ. Вместе со всеми выносил мусор из подвалов, чистил крышу, обустраивал наш новый дом (раньше мы работали на площадях завода "Компонент").
Когда появились первые технологические линейки по выпуску микросхем собственной разработки на пластинах кремния диаметром 20-40 мм ("Иртыш", "Микроватт", "Логика") мы, физики, помогали технологам в измерениях параметров структур.
Шел 1965 год. Я был начальником лаборатории в области оптических методов измерений. Мы применяли такие методы, как оптическую микроскопию, спектрофотометрию, интерферометрию, эллипсометрию. На базе этих методов и создавали методики контроля структур микросхем.
- Проблемы с оптическим оборудованием были всегда. Они есть и сегодня. Как же удавалось их решать в те далекие годы?
- Тогда нужного нам оборудования просто не было. Промышленность его не выпускала. Поэтому мы на базе отечественного гониометра ГФ-5 создали сами первый эллипсометр (разработчик В.МОКЕРОВ).
- А если говорить о научном потенциале вашего коллектива?
- Молодые физики росли на моих глазах в научном плане. Каждый третий защитил кандидатскую диссертацию. Среди них В.МОКЕРОВ, Н.ЛАБУТИН, А.ПЕТРОВА, Ю.СМИРНОВ, Е.ПОТАПОВ.
- Бурное развитие отечественной микроэлектроники 60-70-х гг. тесно связано с НИИМЭ - головным предприятием. Как участвовали в этом физики?
- С усложнением структур ИС, естественно, усложнялась метрика. Требовалось увеличение разных методик, нужны были принципиально новые методы измерения.
В 1975 г. наша лаборатория выросла в отдел. По инициативе директора предприятия К.ВАЛИЕВА мы исследовали возможность создания элементов оптической (голографической) памяти, чтобы записывать и сохранять большие объемы информации.
В 1978 г. я был назначен начальником сектора НИИМЭ с задачей - создать методы операционного контроля техпроцессов на производстве. Большой вклад в это важное дело внесли наши ведущие специалисты: В.МОКЕРОВ, В.САМОЙЛОВ, В.ПАНАСЮК, И.БОГДАНОВ, В.МАРАСАНОВ, А.КУДРЯШОВ, А.ЖДАНОВ, Н.ЛАБУТИН, В.ВОЛКОВ, Э.ЛОНСКИЙ, А.ПЕТРОВА, Ч.ВОЛК, Л.АНГЕЛОВА, Е.ДРОБЫШЕВ, И.РЯБИНИН, Ю.СМИРНОВ; выпускники МИЭТа Ю.ПЛОТНИКОВ, С.БУРЗИН, А.БЕГИШЕВ и многие другие.
Это позволило контролировать процессы создания БИС и СБИС.
Диапазон линейных размеров элементов колебался от десятков до одного микрометра. А размеры толщиныпленок - от 1 мкм до десятой доли мкм и даже сотых долей микрометра.
- Как решаются проблемы метрики сегодня?
- Подобные проблемы сейчас тоже приходится решать, но уже для схем с элементами субмикронных размеров. А они таковы, что старые стандартные оптические методы бессильны.
Здесь без электронной или зондовой силовой микроскопии не обойтись. Важно, чтобы новые методы былинеразрушающими и соответствовали необходимой точности. Для этого в институте РАН, где я работаю, проведено детальное исследование вторичной электронной эмиссии рельефной поверхности твердого тела. В результате обнаружено новое свойство эмиссии - эмиссия из поверхностных состояний. Это свойство и было использовано для создания методик измерения различных элементов ИС на растровом электронном микроскопе (от 1,0 до 0,1 мкм), которые уже используются в НИИМЭ и на заводе "Микрон".
Ученым Российской Академии наук интересно и важно видеть свои разработки, применяемые в производстве. Поэтому я часто бываю на "Микроне", провожу совместные эксперименты по дальнейшему развитию этихметодов. Приятно, что на "Микроне" я всегда нахожу понимание и поддержку.
- Где и как удается отдохнуть вам, большому ученому?
- Летом в Калужской области. Там у меня деревенская изба - пятистенок, лес, река, можно вдоволь надышаться свежим воздухом России.
Записала И.МАХОВСКАЯ