По тематике НИИМЭ им опубликовано около 180 работ, включая 50 изобретений.
- Расскажите о первых встречах с академиком К.ВАЛИЕВЫМ.
- Первая моя встреча с К.ВАЛИЕВЫМ произошла в школе. Я учился в 10-м классе, думал о профессии. Однажды к нам пришел студент Казанского университета руководить кружком по физике. Говорил увлеченно и очень интересно, но... больше почему-то с нами не встретился. Это был Камиль ВАЛИЕВ.
Позже Камиля Ахметовича я узнал лучше, работая под его руководством в Совете студенческого научного общества физико-математического факультета Казанского университета.
- Как складывалась ваша научная биография?
- Окончил Казанский гос-университет в 1956 г., по специальности - физик. Год проработал на заводе "Теплоконтроль" -создал там лабораторию спектрального анализа сплавов, через год приглашен во вновь создаваемый филиал Государственного оптического института. Мы все, молодые специалисты, начинали с нуля. Помню, повесили в лаборатории большой плакат: "Ударим вакуумом гигантским по головам американским". Там я стал специалистом по разработке и изготовлению многослойных интерференционных светофильтров для ИК-области спектра. Мои изделия летали на метеорологических спутникахсерии "Метеор".
В 1964 году на меня обратили внимание А.РАКОВ и К.ВАЛИЕВ и пригласили работать в Зеленоград.
У меня в Казани было все, а я пошел в неизвестность. Несколько лет я не мог отбросить от себя эту мысль. Полупроводники, микроэлектроника - для меня все это было новое направление, новая жизнь. Меня поразила масштабность постановки задачи в Зеленограде: строился специальный город, институты, заводы, жилье, предприятия быта. Сюда были приглашены специалисты - интересные люди со всей страны. Мы встречались на конференциях, семинарах и в Доме ученых.
Камиль Ахметович поставил передо мной задачу: разработка технологии изготовления многоуровневых межсоединенийБИС. Под эту проблему создавалась лаборатория, которая позже превратилась в большой отдел.
Появились активные молодые ребята. Помню, на производственную практику из техникума к нам пришла Светлана БАБУРИНА. Она очень настойчиво, иногда и сквозь слезы, решала технические задачи, а когда делала диплом, заканчивая заочно МИЭТ, ей удалось в короткие сроки освоить методы математического программирования, рассчитать и экспериментальноподтвердить распределение толщины пленок металлов на рельефной поверхности пластин, совершающих сложное вращательное движение. Это позволило нам создать оптимальные конструкции установок нанесения металлических пленок, защитить их авторскими свидетельствами и совместно с НИИТМ организовать производство. Очень плодотворны были тесные, творческие контакты с машиностроителями. Обычно у себя мы разрабатывали макетные образцы внутрикамерных устройств (Г.ЕВДОКИМОВ, И.ФИШЕЛЬ, Ю.БУКЕЕР, В.АФАНАСЬЕВ) и испытывали их в технологическом процессе (В.ХРУСТАЛЕВ, В.НИКИФОРОВ, В.ЕВДОКИМОВ, В.СЛАДКОВ, В.СЕМАШ, А.КУЗЬМИН, В.ПЕНДЮРИН, И.ГРИНЧЕНКО, Б.МАЗИЯ). Поэтому НИИТМ мы часто предлагали уже апробированные идеи.
- Приведите примеры решения научных проблем...
- В 1968-70-е годы мы впервые использовали в групповых процессах нанесения пленок AI и др. металлов для обезгаживания внутрикамерной арматуры и нагрева подложек высокотемпературное излучение галогенных ламп. Это существенно улучшило вакуумные условия, полностью исключило проблему адгезии металлических слоев с подложкой, улучшило воспроизводимость и качество кристаллической структуры пленок. Это устройство, включая испаритель с непрерывной подачей проволоки, на базе установки УВН-71Р2 было внедрено на различных предприятиях отрасли.
Совместно с НИИТМ (Г.САТТАРОВ, Ю.МИЛЕХИН, В.МИНАЕЧЕВ, Е.ДМИТРИЕВ, В.ДУБОВИКОВ, В.ИВАНОВ, В.ОДИНОКОВ) были созданы и внедрены в производство установки и технологические процессы нанесения металлических пленок типов УВН-74П4, УВИ-73ПI, ОIНЭ-7-002.
После проведения испытаний макетного образца установки НИИТМ для магнитронного распыления типа "Магна-2М"и модернизации отдельных узлов нами были предложены технические решения по ее совершенствованию, которые были использованы при создании в НИИТМ установок серии "Оратория-29".
Мы активно участвовали в создании установок серии УВП и технологического процесса плазмохимического, низкотемпературного нанесения пленок SiO2.
К созданию установки УВП-2М и технологии осаждения пленок SiO2 я подключил лучших специалистов (в этой работе мы были головными), и она хорошо поработала на заводах страны. Эти работы были отмечены несколькими авторскими свидетельствами, за что мы получили от МЭП максимальный размер авторского вознаграждения.
- В годы становления отечественной микроэлектроники при больших запусках пластин имел место низкий выход годных микросхем. Первоочередной стала проблема дефектности?
- Для снижения загрязнений, поступающих из объема окружающего воздуха, нами впервые была организована разработка обеспыленной технологической линии, в которой технологическое пространство было разделено на "чистую зону", куда входили зоны обработки пластин, и "зону обслуживания", где располагалась основная часть оборудования и энергообеспечения. Эта идеология позже была использована на других предприятиях отрасли.
В стране отсутствовали пригодные при создании межсоединений особо чистые металлы. Мы организовали разработку процессов очистки и производство ОСЧ алюминия и его сплавов, титана, титана-вольфрама и мишеней из них, исследовали особенности процесса нанесения и преимущества ОСЧ материалов.
Комплекс этих работ позволил нам в 1974 году впервые в стране разработать и внедрить в производство техпроцесс изготовления двухуровневых межсоединений.
В начале 70-х годов мы впервые в мире разработали и совместно с НИИТМ реализовали в лабораторном оборудовании идеологию применения герметичных контейнеров для межоперационной транспортировки и хранения пластин. Это был прототип Смиф-контейнера. НИИТМ не решился развивать эту идеологию в одиночестве. Очень крупные руководители тогда задавали всё решающий вопрос: "А "там" так делают?" "Моторола" описала применение подобного принципа только через 3 года.
Я с удовольствием вспоминаю 70-80-е годы. У нас был хороший, активно работающий коллектив. Сотрудники нашего отдела были известны не только в Зеленограде, но и на других предприятиях страны. В конце 80-х годов руководство решило, что нам не нужно заниматься макетированием новых технологических элементов оборудования, что это всецело прерогативаНИИТМ. Я считал это большой ошибкой. После этого результаты нашей совместной работы с НИИТМ стали более слабыми, исчезло понимание совместной ответственности за конечный результат. Думаю, примером этого может служить низкое качество установок "Оратория-36", "Изоплаз".
- Каковы перспективы технологии СБИС?
- Нам уже в 80-е годы было понятно, что прогресс в технологии СБИС определяется успехами технологии межсоединений. Это требовало значительного увеличения внимания и доли ассигнований на такие разработки. Сейчас это стало понятным всем. На процесс создания межсоединений как в разработках, так и в производстве ведущие фирмы мира расходуют три четверти средств. Нам трудно на них ориентироваться, но на "Короне" созданы определенные условия для реализации современных СБИС, в частности, решена одна из главных проблем формирования многоуровневой металлизации - создан достаточно современный участок планаризации рельефа межсоединений золь-гель методом, который может быть использован вплоть до уровня технологии 0,35 мкм.
Я думаю и надеюсь, что российская микроэлектроника возродится.
Беседовала И.МАХОВСКАЯ