Зеленоградский завод «Ангстрем» заключил трехстороннее соглашение с японскими и китайскими партнёрами: предприятие получит технологию для производства транзисторов на основе карбида кремния (SiC) от японской компании, для которой планирует выпускать большие серии чипов, в Китае их будут корпусировать. Новые чипы будут миниатюрнее, чем традиционные кремниевые, но сравнимы с ними по стоимости.
Запатентованная технология SiC фирмы Japan Semiconductor Engineering & Consulting — новая для «Ангстрема». Её не покупают — «Технологию дает японская компания и использует Ангстрем как фаундри», пояснили Zelenograd.ru на предприятии: в Зеленограде будут изготавливать транзисторы, разработанные японской стороной. Сфера их применения пока не раскрывается и остается коммерческой тайной.
«Транзисторы на основе карбида кремния традиционно имеют более высокую стоимость, чем транзисторы, изготовленные на кремнии, и поэтому спрос на них относительно ограничен. Использование же новой запатентованной технологии SiC позволит получить транзисторы с меньшим размером кристалла, а также значительно уменьшить стоимость транзистора в корпусе, что делает их использование более выгодным» , — сообщает «Ангстрем».
Третья сторона соглашения, китайская компания Taizhou Beyond Technology, берет на себя обязательство по сборке кристаллов транзисторов в корпус.
Соглашение предусматривает стратегическое партнерство между тремя компаниями на протяжении пяти лет и может быть продлено по окончании этого срока. В церемонии подписания документа приняли участие первый заместитель генерального директора «Ангстрем» Николай Плис, президент компании Japan Semiconductor Engineering & Consulting Хошино Масахиро (Hoshino Masahiro) и генеральный директор компании Taizhou Beyond Technology Чжань Лэниан (Zhang Lenian).
Первые образцы продукции планируется представить в марте 2019 года на выставке Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. В случае положительного отклика от потребителей объемы производства могут достигнуть нескольких миллионов кристаллов в год, рассчитывают на «Ангстреме» — это будет значительным прорывом для предприятия и выходом на мировой рынок с продукцией на основе SiC.
Ранее «Ангстрем» уже выпускал чипы на карбиде кремния (SiC), пользуясь другим технологическим процессом. Он обозначен на сайте «Ангстрема» как развиваемый на базе технологической линии 100 (изготовление транзисторов с топологическим уровнем 1,6 микрон на пластинах диаметром 100 мм).
Зеленоградский завод микроэлектроники ежегодно запускает в серийное производство не менее 50 новых типов интегральных схем, микропроцессоров и транзисторов промышленного и специального назначения, в том числе по технологии кремний на сапфире. За последние три года было обновлено порядка 20% продукции предприятия из 2000 наименований.
SiC приборы это приборы двойного назначения. Основные свойства - радиационная стойкость, высокая рабочая температура до 700 градусов, высокие напряжения (10-15кВ существуют), на порядок выше частоты. Стандартное оборудование не подходит для производства, оно стоит огромных денег и оно отсутствует в стране. На стороне можно это сделать в Швеции, но не Ангстрему. Никто не продаст оборудование и не разрешит сторонний процессинг как не продадут технологию (прямые санкции против Ангстрема). Скорее всего это какой-то новый распил бюджетных денег с попыткой через подставные компании купить кристаллы Cree закорпусировать 100шт и выдать за свои.
Новость напоминает "о высоких удоях"
"Ангстрем производил и производит ЭКБ на основе карбида кремния. Мы уже делаем это, а не собираемся начать делать завтра или через полгода. Для нового проекта осваивается новая технология. Японские партнёры посмотрели наше оборудование, были удовлетворены осмотром, подписали соглашение и дали время на постановку технологии.
Речь идёт о возможности постоянных поставок транзисторов большими партиями. Поэтому предположение о том, что 100 кристаллов будут куплены через подставные компании и выданы за свои - бессмысленно".