Современную технологию производства «траншейных» транзисторов Trench MOSFET освоили на зеленоградском заводе «Ангстрем-Т». Такие транзисторы массово применяются в любой электронике с аккумуляторами и блоками питания для управления электроэнергией и её преобразования. Неожиданно спорная ситуация сложилась вокруг уникальности такого производства в стране.
«Ангстрем-Т» стал единственным в России производителем, который может выпускать транзисторы такого типа, заявили на предприятии. Однако такую же технологию другой зеленоградский завод микроэлектроники, «Микрон», освоил еще в 2015 году, а к серийному выпуску приступил в 2017-м — «транзисторы применяются на внутреннем рынке в разных отраслях промышленности», рассказали Zelenograd.ru в пресс-службе «Микрона». На «Ангстрем-Т» этот факт комментировать не стали.
Свои транзисторы Trench MOSFET «Ангстрем-Т» также готов поставлять на отечественный рынок. Но в первую очередь этот продукт рассчитан на зарубежных потребителей из стран, где развито сборочное производство электронной техники, особенно массовой бытовой. «В данный момент идут переговоры с несколькими потенциальными потребителями, отгрузки которым начнутся после подписания контрактов» , — сообщил представитель предприятия Виталий Арышев.
Объем мирового рынка MOSFET-транзисторов составляет не менее 6 миллиардов долларов в год и, по оценке аналитиков, он будет стабильно расти еще в течение ближайших десяти лет. Этому способствует рост рынков компьютерной и носимой электроники, развитие робототехники, а также массовый переход на электрический транспорт.
Технологию Trench MOSFET реализовали на действующей производственной линии «Ангстрем-Т» 250 нм.
Силовые Trench MOSFET-транзисторы — следующее поколение транзисторов MOSFET (МОП-транзисторов в отечественной терминологии, Metal-Oxide-Semiconductor (металл — окисел — полупроводник) и Field-Effect-Transistors (транзистор, управляемый электрическим полем)) после транзисторов планарного типа. Для изготовления затвора транзистора создаётся канавка, и он размещается в углублении, поясняет 3dnews.ru на следующих схемах.
Так называемая «траншейная» технология позволяет достичь качественно более высоких и оптимальных параметров транзисторов. Это даёт возможность конструировать современную электронную технику с высокими показателями энергоэффективности, а также снижать её массу и габариты.