Представители зеленоградских полупроводниковых заводов «Микрон» и «Ангстрем» предложили дизайн-центрам переориентироваться на проектирование чипов под отечественные фабрики взамен зарубежных фаундри, ставших труднодоступными из-за санкций. В рамках экспертной дискуссии «Топ-электроника за пределами тонких нанометров — неизбитые горизонты лидерства» они рассказали о текущих производственных возможностях. Пересказываем их выступления.
«Сейчас у нас есть PDK [Process Design Kit — правила проектирования для дизайн-центров от конкретной фабрики] уровня 250нм, 180нм, 90нм, — сообщила Карина Абагян, директор по стратегическому развитию „Микрон“. — Существуют методы, позволяющие дизайн-центрам, во-первых, уйти от тонких нанометров, вернуться назад — при этом повысится доступность отечественных фабрик (180нм есть на „Микроне“, 130нм планирует делать НМ-Тех), — а во-вторых, улучшить экономику, потому что стоимость комплекта масок несопоставима для тонких нанометров».
В числе методов для «снижения нанометров» в производстве Карина Абагян упомянула дезинтеграцию чипа, сделанного на тонких нанометрах, на несколько чипов, которые можно изготовить на разных поколениях технологий — «Например, легко вычленяется аналоговая обработка, почти всегда можно выделить оперативную память, энергонезависимую память — и таким образом из нескольких кусочков создать чип. Это тенденция технологии чиплетов, она пока на рынке идет достаточно плохо, но проблема, наверное, будет преодолена».
Среди других методов — оптимизация системного и пользовательского ПО, переход от аналоговой обработки к цифровой на более поздней стадии работы с данными, изменение архитектуры системы — перенос хранения и обработки из дата-центров на терминальные устройства, использование новой элементной базы (мемристоров, квантовой ЭКБ).
«Чего нам сейчас не хватает как заводу? Много научных исследований и разработок дизайн-центров не адаптировано к нашим технологиям и производственным возможностям, — поделилась Карина Абагян. — Призываю всю аудиторию сотрудничать с нами, адаптироваться под наши технологии и эти технологии развивать. И, конечно, нужно участвовать в международной кооперации — ни одна страна не обеспечивает себя полностью всеми технологиями, и в любых „холодных“ условиях всё равно надо закладывать сотрудничество».
На вопрос слушателя о том, как обстоят дела с технологией 65 нм на «Микроне» — «На сайте Микрона указано, что технология 65 нм „в разработке: проходит квалификацию и освоение в производстве“, это длится уже много лет» — представитель завода ответила, что для полномасштабного запуска этой технологии «Микрону» необходим новый фаб, работающий на пластинах диаметром 300 мм. Существующее производство действует на 200 мм пластинах — для них технологии 65 нм проверялись только на уровне R&D, в качестве подготовки к переходу на пластины 300 мм.
«Таким образом, пока мы не поставим фабрику 300 мм, нормы 65нм вряд ли станут массово доступны для дизайн-центров. Сейчас основная масса пластин у нас выпускается по технологии 180нм» , — подытожила Карина Абагян.
Морис Гафаров, директор проектно-технологического комплекса завода «Ангстрем», продолжил разговор о переносе в Россию производства электронных компонентов, в частности, силовой электроники — «Ангстрем» производит и экспортирует её уже более 25 лет.
«Любой проект аналоговой техники можно реализовать разными способами, если есть ограничения по нормам производства, — заявил он. — И при анализе проектов мы часто наблюдаем избыточность в решении определенных проблем — например, аналоговые схемы делаются на 90нм, но их можно реализовать и на 130 или 180нм, или даже 250нм, получив при этом те же самые ТТХ. Если проанализировать годовой график загрузки запусков в режиме фаундри какой-нибудь известной полупроводниковой фабрики, то мы увидим, что даже по нормам 350-180нм они загружены полностью, и в основном это изделия силовой электроники и автоэлектроники».
В последнее время, по словам Мориса Гафарова, на «Ангстрем» обращаются многие компании из секторов автоэлектроники и телекоммуникаций с вопросами о замене импортных чипов на аналоги. При этом подавляющее число микросхем в их списке — силовая электроника. При помощи той или иной технологии их можно изготавливать в России, где на сегодняшний день есть оборудование на 130нм, 90нм, 180нм.
«Мы также сталкиваемся с тем, что много решений по силовой электронике, таких как драйверы мощных моторов, светодиоды, AC-DC, часто избыточно реализуются на нормах 130нм в силу отсутствия на фабрике норм 350 или 250нм, — отметил представитель „Ангстрема“. — Мы в порядке эксперимента делали образцы, и у нас получались по параметрам то же самое на нормах 350 или 250 нм».
Производство СВЧ-модулей на импортных компонентах в России достаточно развито, сейчас самое время перейти ко второму этапу — производству целой серии СВЧ-микросхем для удовлетворения растущего гражданского рынка, считает Морис Гафаров — «Как я слышал, на Микроне планируется к развитию структура кремний-германий, которая имеется большую перспективу для реализации СВЧ систем-на-кристалле».
Отечественные компетенции по технологиями СВЧ и High Voltage, по мнению Гафарова, необходимо перенести со старых норм в 500нм на техпроцессы Микрона (250, 180нм) или НМ-Тех (130нм) — «Если мы сделаем это, у нас появится рынок, потому что тот же Китай к нам активно обращается по разработке и поставке High Voltage схем».
Дискуссия прошла в рамках Саммита дизайн-центров электроники 25-26 мая, который, как заявляют организатор — Ассоциация «Консорциум дизайн-центров и предприятий радиоэлектронной промышленности», стал первой в России онлайн-площадкой для диалога в формате «без галстуков» по актуальным вопросам развития дизайн-центров электроники в контексте построения цифрового общества на основе российских разработок. Мероприятия транслировались онлайн и были бесплатными для всех участников. Модераторами сессий выступили руководители ведущих дизайн-центров России и организаций-потребителей электроники, представители органов власти и ключевые участники стратегического планирования отрасли.